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制造商还需要解决成本问题 。星讨新才现蓝

本月 CMFS2023（中国闪存市场峰会）在深圳举办 ，态硬

三星期待更先进的年内到能实 3D NAND IC 封装技术，但三星在 QLC 闪存上非常谨慎
，靠封所以必须容易合成才能满足使用需要；

第三制造商还必须能够管理这类保持大量电压状态的装技 3D NAND 温度 ，

在闪存芯片技术和工艺方面三星相对来说比较谨慎 ，术创紫光展锐、点网而 8bpc OLC 3D NAND 则需要保持 256 个电平状态 ，星讨新才现蓝换言之 ，态硬逻辑缩放和封装创新将在未来 10 年内将固态硬盘容量提升到 1PB，年内到能实只不过人类需要花费更长时间解决问题，靠封不过三星认为 1PB 的装技固态硬盘，铠侠
、术创到 2019 年展示 64TB 固态硬盘，点网该公司认为物理缩放、星讨新才现蓝2017 年三星就推出 3D TLC 的 30.72TB 固态硬盘 ，所以控制器成本会大幅度提升，三星 、即每个 NAND 单元增加更多的位数 
。所以最终要实现的还是逻辑缩放，

目前全球闪存芯片出货量和营收最高的都是三星，

三星如此保守的对待 3D QLC NAND 主要是三星希望对闪存控制器进行技术创新，所以消费者唯一能做的就是：等
。早在 2019 年铠侠就开始讨论每个 NAND 单元存储 5 位 bpc 的 PLC NAND，三星似乎还觉得 3D QLC NAND 搭配的控制器还不足以进入大范围使用。可能会在未来 10 年的某个时候到来，物理缩放指的是减少闪存单元体积  ，因此每增加一位 bpc 都会给制造商带来巨大的困难。Arm、长江存储、这需要层叠技术升级和封装技术创新。Solidigm 等行业公司参与该峰会。

制造商必须找到可以存储 64 或 256 个电压状态的材料，之后铠侠工程师还演示了存储 6 位 bpc 的 3D HLC NAND ，随着每个 NAND 位数的增加，

困难在哪里呢？材料。英特尔 、

铠侠 (原东芝存储) 对 NAND 逻辑缩放更热情 ，HLC、美光、

三星预计还会继续增加 3D NAND 的物理缩放和逻辑缩放  ，既然如此那 PLC 、

但三星也承认指望靠物理缩放 NAND 体积增加堆叠层数到 1000 层也不能快速增加密度，铠侠认为 8bpc OLC NAND 存储器都是可能的。

不过随着技术的发展这些问题最终都是会被解决的
，不过没有量产。控制器还需要使用更复杂的 ECC 算法，从而将 3D QLC NAND 引入主流市场，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型，让 NAND 单元体积缩小后可以堆叠更多 NAND 层数；逻辑缩放指的是增加每个 NAND 单元存储的位数 
。计算量暴增也会导致需求的算力增加，

为了让每个 NAND 存储 6 位 bpc ，即 1024TB 或 1048576GB。OLC 闪存岂不是还要等待很久 ？

就当前来看三星距离推出新的闪存还很遥远，NAND 单元必须保持 64 个电平，还要确保每个电压状态不会相互干扰；

其次是这种材料必须量大管饱，