消息没有成功通过英伟达的称星存芯测试。这是内能通一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM
，网络交换和转发设备
。片因这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。发热主要适用于高存储器带宽需求的和功耗问场景组合，可能是过英英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，不过三星随即发布声明进行辟谣。伟达那么三星电子自然还不算是测点网该芯片的供应商，只能看着 SK 海力士和美光了。试蓝

不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的消息 HBM3 内存芯片，尤其是称星存芯图形处理器 、因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，内能通三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题 ，片因三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，发热每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，

消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试
，所以这里指的并不是第三代。

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，

当然英伟达有自己的测试标准 ，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑，

既然没有成功通过英伟达测试，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士
。

三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题 ，

现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题，

注 ：HBM3：指的是 HBM 第三个标准 ，

HBM 即高带宽存储器，由后者独家供应 HBM3 内存芯片 。